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中芯国际,DC XR 4981

日期:2019-05-15  点击:   作者:线上365bet体育  来源:365bet日博娱乐

当电压高时,使用N + P很麻烦,因为必须使用P-Mosfet控制器,主要是因为LowActive担心-VGS。
另外,在上桥中,由于内置二极管P-MOSFET的整流反转,因此成为负电压,不能用于增加功率。继续作为上桥的P-MOS下降电路的100%周期。
由于死区问题,双N-Mosfet无法运行100%周期。
双N MOSFET的最大优点是MOSFET的内部二极管处于正向。即使上桥不移动,只要下桥不悬挂,电路就保持正常,上桥仅由二极管短路。

你需要一个自举电路和一个背部。